SiC Geräte
SiC-Schottky-Barriere-Diode
SiC-Schottky-Barriere-Diode
Die SiC-Schottky-Diode von Fuji Electric ist eine Diode, die durch den Übergang eines Halbleiters mit einem Metall gebildet wird. SiC-Schottky-Dioden haben einen viel geringeren Leckstrom in Sperrrichtung als ihre Si-Gegenstücke und auch eine höhere Durchlassspannung.
Die SiC-Schottky-Diode von Fuji Electric reduziert die Verluste erheblich und kann daher zur Steigerung der Systemeffizienz und zur Verkleinerung der Produktgröße eingesetzt werden.
Produktreihe
Schottky-Barriere-Dioden (einzeln)
Schottky-Barriere-Dioden (Dual)
- Niedrige IR SBD
- SBD
Merkmale
- Hoher Wirkungsgrad
- Miniaturisierung
- Hohe Leistungsdichte
Vorteile
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Geringerer Leitungsverlust als bei herkömmlichen Produkten
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Senkung der Gerätetemperatur im gesamten Temperaturbereich
- Höherer Stoßstrom zur Verbesserung der Zuverlässigkeit
Kontakt
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