Semiconductors
SiC Module
SiC Module
SiC-Bauelemente (Siliziumkarbid) haben hervorragende Eigenschaften, die hohe Sperrspannungen, geringe Verluste, hohe Frequenzen und hohe Temperaturen ermöglichen. Leistungshalbleiter aus langlebigem SiC senken den Energiebedarf erheblich und können zur Entwicklung kleinerer und leichterer Produkte verwendet werden.
Produkte
Merkmale
- Erhebliche Verlustreduzierung durch den Einsatz von SiC-Trench-Gate-MOSFET 70 % Reduzierung im Vergleich zu Silizium-IGBT der 7. Generation (X-Serie)
- Die Gehäuse sind kompatibel zu herkömmlichen Si-IGBT-Modulen
- Gehäuse mit niedriger Induktivität
- STD-Gehäuse für Hochtemperaturbetrieb (Tjmax 175 °C)
Vorteile
- Kleinere passive Komponenten durch höhere Schaltfrequenz
- Höherer Wirkungsgrad
- Kompakte Bauweise des Anwendungsdesigns
Kontakt
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