IGBT | HPnC
HPnC (High Power next Core)
Fuji Electric bietet ein für Hochleistungsanwendungen wie Solar (PV), Wind und Traktion geeignetes IGBT Modul an, das HPnC. Die beiden Produktvarianten, Industrie und Traktion, sind auf die jeweiligen Anwendungen zugeschnitten.
Das HPnC-Modul verfügt über eine Halbbrückenschaltung und ist mit Si-IGBT- und SiC-MOSFET-Technologie im Spannungsbereich von 1.700 bis 3.300 V erhältlich.
Produktreihe
High Power Module HPnC X series 1700 V, 3300 V Class
Merkmale
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Geringe Verlustleistung
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Geringe Streuinduktivität
- Anwendbar für T/I-Typ NPC 3-Pegel-Schaltung
- 2-stufige Wellenform
Vorteile
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Die eingesetzte X-Serie- oder SiC-MOSFET-Chiptechnologie sorgt für geringste Verluste im Wechselrichterbetrieb
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Das optimierte interne Layout führt zu einer 76% geringeren Streuinduktivität im Vergleich zum Vorgängergehäuse HPM
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Durch die Entwicklung eines neuen Gehäuses für Hochleistungsanwendungen kann eine einfache Parallelisierung und gute Skalierbarkeit realisiert werden
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Ultraschallgeschweißte Anschlüsse und anwendungsspezifische Grundplatten sorgen für eine hohe Temperaturwechselfähigkeit.
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